Projekty IAS

 

    • ITMS 26220120003 Centrum excelentnosti výkonových elektronických systémov a materiálov pre ich komponenty
    • ITMS 26250120021 Modernizácia infraštruktúry Žilinskej univerzity so zameraním na IKT
    • ITMS 26110230079 Inovácia a internacionalizácia vzdelávania
    • APVV 0888-11 Výskum nových pasivačných procesov štruktúr na báze kremíka
    • APVV-0096-11 Úloha defektov v organických polovodičoch pre slnečné články
    • APVV-0025-12 Predchádzanie vplyvu stochastických mechanizmov vo vysokorýchlostných plne optických sieťach
    • APVV-15-0152 Výskum fyzikálnych vlastností a kinetiky formovania vrstiev čierneho kremíka
    • VEGA 1/0853/13 Výskum mikroštruktúrnych, elektrických a optických vlastností polovodičovo-dielektrických systémov
    • VEGA 2/0076/15 Výskum štruktúr čierneho kremíka
    • Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Výskum nanoštrukturovaných vrstiev na Si (2016)
    • VEGA 2/4105/04: Skúmanie pasivácie defektov v kremíkových polymorfných vrstvách a ich rozhraniach s veľmi tenkými a ultratenkými dielektrikami (The Investigation of the Defects Passivation in Polymorphous Silicon Layers and their Interfaces with Very Thin and Ultrathin Dielectrics)
    • EFZU 01-2006 14/103210: Modely experimentov vo fyzike tenkých vrstiev 2006-2008
    • VEGA 2/7120/27: Vyšetrovanie fyzikálnych vlastností štruktúr oxid/polovodič s extrámne redukovanou hustotou stavov rozhraní (The Investigation of Physical Properties of Oxide/semiconductor Structures with Extreme Reduced Density of Interface States)
    • Osaka University and Japan society for the promotion of science: Mechanism of defect passivation and low temperature oxidation and their application to Si solar cells, 2007-2009
    • AGA MD 01-2008: Statistical analysis of the influence of the semiconductor system interface roughness on the optical properties, 2008-2009
    • APVV 0577-07: Investigation and optimization of parameters of larger-sized high-efficiency c-Si and poly-Si solar cells, 2008-2010
    • ITMS 26220120003: Centrum excelentnosti výkonových elektronických systémov a materiálov pre ich komponenty, 2007-2013
    • VEGA 2/0070/10: Fyzikálne vlastnosti pasivovaných štruktúr pripravených na báze kremíka FU SAV Bratislava,2010-2012
    • VEGA 1/0411/10: Štúdium alternatávnych riešení na mitigáciu polarizačnej módovej disperzie vo vysokorýchlostných optických sieťach, 2010-2012
    • VEGA 1/0853/13: Výskum mikroštruktúrnych, elektrických a optických vlastností polovodičovo-dielektrických systémov, 2013-2015
    • VEGA 1/0676/17: Research of electrical and optical properties of nanostructured semiconductor interfaces, 2017-2019
    • VEGA 2/0149/18: Výskum pasivovaných štruktúr štandardného porézneho kremíka a čierneho kremíka
    • Horizon 2020 6260922: Senzory a inteligencia v zastavanom prostredí, 2017-2021
    • APVV-15-0152: Výskum fyzikálnych vlastností a kinetiky formovania vrstiev čierneho kremíka, 2016-2019
    • APVV-14-0239: Výskum účinných pasivačných mechanizmov čierneho poly-Si, 2015-2018
    • VEGA 2/0076/15: Výskum štruktúr čierneho kremíka, 2015-2017
    • APVV-0025-12: Predchádzanie vplyvu stochastických mechanizmov vo vysokorýchlostných plne optických sieťach
    • VEGA 1/1271/12: Štúdium vplyvu degradačných efektov vo fyzickej vrstve na transportné mechanizmy vo vysokorýchlostných optických sieťach
    • VEGA 2/0076/12: Výskum interakcie vodného HCN roztoku s viacerými druhmi kremíkových štruktúr
    • APVV-0888-11: Výskum nových pasivačných procesov štruktúr na báze kremíka
    • VEGA 2/4105/04: Skúmanie pasivácie defektov v kremíkových polymorfných vrstvách a ich rozhraniach s veľmi tenkými a ultratenkými dielektrikami
    • Research project ISIR DFCM Osaka University: Semiconductor-dielectric systems (2014, 2016)

 

 

 

 

                         Projekty riešené v roku 2022


 

 

APVV-20-0528

Nové polovodiče a katalyzátory pre produkciu zeleného vodíka

 

Partneri: UFV UPJS

Zodp. riešiteľ: Mgr. Peter Čendula, PhD.

      Hlavnou prekážkou pre širšie využívanie obnoviteľnej energie je chýbajúca rozsiahla a dlhodobá technológia uchovávania energie. Keďže palivá majú rádovo vyššiu energetickú hustotu ako lítium-iónové batérie, z dlhodobého hľadiska sa hľadá alternatívna cesta na výrobu palív výhradne z obnoviteľných zdrojov. Cielom projektu je výrazne posunúť výskum produkcie zeleného vodíka pomocou syntézy, charakterizácie a modelovania CuFeO2 polovodiča a MoN katalyzátora, pozostávajúcich výlučne z chemických prvkov dobre dostupných v zemskej kôre. Na dosiahnutie vysokej čistoty a kvality CFO vzoriek použijeme magnetrónové naprašovanie, avšak súčasne CFO pripravíme aj lacnejšou a škálovateľnou sol-gel syntézou. (Foto)elektrochemické merania CFO uskutočníme v stacionárnych ako aj tranzientných podmienkach a budú použité na verifikáciu nového analytického a numerického modelu prenosu náboja v CFO, ktorý vyvinieme v tomto projekte so začlenením Shockley-Read- Hall rekombinácie a povrchovej rekombinácie. Katalyzátor MoN dopovaný prechodnými kovmi bude skúmaný systematicky a bude použitý na zvýšenie produkcie vodíka na CFO. Na záver preskúmame, ktoré parametre polovodiča a katalyzátora môžme extrahovať z porovnania medzi meraniami a modelom/simuláciami.

 

Grantový projekt UNIZA

Projekty na podporu vedeckých pracovníkov  

Nové polovodiče pre výrobu vodíka zo slnečnej energie s vyššou účinnosťou a životnosťou

 

Zodpovedný riešiteľ: Mgr. Peter Čendula, PhD.


     Cieľom projektu je výrazne posunúť výskum produkcie zeleného vodíka pomocou syntézy, charakterizácie a modelovania CuFeO2 polovodiča. Fotoelektrochemické merania CFO uskutočníme v stacionárnych ako aj tranzientných podmienkach a budú použité na verifikáciu nového analytického a numerického modelu prenosu náboja v CFO, ktorý vyvinieme v tomto projekte so začlenením objemovej aj povrchovej rekombinácie. Taktiež preskúmame, ktoré parametre polovodiča a katalyzátora môžeme extrahovať z porovnania medzi meraniami a modelom/simulaáciami a aký je vplyv katalyzátora MoN na povrchu CFO na redukciu vody a povrchovú rekombináciu nábojov.